[发明专利]半导体发光器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201210208054.8 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102709422A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 宋超;刘榕;周武 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体发光器件及其制备方法，属于光电技术领域。所述半导体发光器件包括：所述半导体发光器件包括衬底、设于所述衬底上的外延层和设于所述外延层上的电极，所述衬底内部或者衬底和发光层之间设有多个空腔。所述方法包括：在衬底上沉积外延层；采用隐形切割技术在所述衬底内部或者在所述衬底和所述发光层之间形成多个空腔。本发明实施例通过在半导体发光器件的衬底内部或者衬底和发光层之间形成多个空腔，在芯片背面形成一种反射层，从而增加了芯片背面对于光线的反射，进而增加了芯片正面的出光。此外，本发明实施例利用隐形切割技术制造空腔，不需要增加新设备，同时制备过程简单，工艺稳定，适合大量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括衬底、设于所述衬底上的外延层和设于所述外延层上的电极，所述外延层包括依次沉积在所述衬底上的第一半导体层、发光层和第二半导体层，其特征在于，所述衬底内部或者所述衬底和所述发光层之间设有多个空腔。
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