[发明专利]一种利用局部铝背场结构制备晶体硅太阳能电池背电极的方法

摘要

本发明公开了一种利用局部铝背场结构制备晶体硅太阳能电池背电极的方法，方法之一是在晶体硅基片背面先印刷第一层铝浆，印刷后烧结，清洗多余铝浆保留铝背场，然后在背面上沉积钝化膜，再印刷银浆套印第一层铝以便打开钝化膜，然后再印刷第二层铝浆将所有区域产生的电流收集。方法之二是在沉积第一层背面钝化层之后印刷第一层铝浆，印刷后烧结，然后沉积第二层背面钝化膜，再印刷银浆套印铝浆区域以便打开钝化膜，将电流导出，最后背面第二层印刷铝浆将所有区域产生的电流收集。本发明的制备方法可直接应用到太阳能电池的制作，进而提高太阳能电池光电转化效率。采用这种制备方法的优点在于不需要添置新的设备，不需要对现有产线进行升级，不需要引入新的化学品。

主权项

一种利用局部铝背场结构制备晶体硅太阳能电池背电极的方法，其特征是包括如下步骤：a)在晶体硅基体材料背面印刷第一层铝浆，第一层铝浆覆盖部分晶体硅基体材料背面，覆盖图形为点状阵列或者线状阵列；b)印刷后采用高温快速烧结，在晶体硅基体材料内形成局部铝背场；c)利用化学溶液去除晶体硅基体材料背面上烧结后残余铝浆并将表面清洗干净；d)在晶体硅基体材料背面上沉积背面钝化膜；e)在背面钝化膜上套印银浆并烘干，其银浆套印的图形与第一层铝浆的图形完全吻合；f)在背面钝化膜上印刷第二层铝浆并覆盖整个晶体硅基体材料背面；g)将第二层铝浆烘干并利用高温快速烧结，使套印银浆穿过背面钝化膜与晶体硅基体材料内形成局部铝背场形成欧姆接触，同时高温烘干的第二层铝浆将所有银浆点或者线连接以便导出电流。