[发明专利]一种用于铜互连的金属硬掩膜层的制备方法无效
| 申请号： | 201210208918.6 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102709232A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 徐强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于铜互连的金属硬掩膜层的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上沉积膜系的金属硬掩膜层及所述金属硬掩膜层之前段工艺膜层；对所述膜系的金属硬掩膜层进行热退火处理；在所述膜系之金属硬掩膜层上继续沉积二氧化硅薄膜；在所述二氧化硅薄膜上设置抗反射层，以及光阻层，并进行沟道曝光、沟道；过孔曝光、刻蚀；刻蚀；衬垫开口；籽晶层沉积、铜互连，以及化学机械抛光等工艺实现铜互连。使用本发明所述铜互连的金属硬掩膜层的制备方法可以在不影响金属硬掩膜层的电阻率均匀性的前提下降低所述金属硬掩膜层的应力，减小所述金属硬掩膜层下层薄膜由于受到所述金属硬掩膜层的高应力而产生变形现象发生的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 互连 金属 硬掩膜层 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于铜互连的金属硬掩膜层的制备方法，其特征在于，所述用于铜互连的金属硬掩膜层的制备方法包括：执行步骤S1：提供衬底，所述衬底用于支撑包括具有所述金属硬掩膜层的膜系，所述金属硬掩膜层为氮化钛薄膜；执行步骤S2：在所述衬底上沉积膜系的金属硬掩膜层及所述金属硬掩膜层之前段工艺膜层；执行步骤S3：对所述膜系的金属硬掩膜层进行热退火处理；执行步骤S4：在所述膜系之金属硬掩膜层上继续沉积二氧化硅薄膜；执行步骤S5：在所述二氧化硅薄膜上设置抗反射层，以及光阻层，并进行沟道曝光、沟道；过孔曝光、刻蚀；刻蚀；衬垫开口；籽晶层沉积、铜互连，以及化学机械抛光等工艺实现铜互连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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