[发明专利]新型多线圈靶设计

摘要

在一些实施例中，本发明内容涉及被配置成在工件周围形成对称的等离子体分布的等离子体处理系统。在一些实施例中，等离子体处理系统包括在处理室周围对称设置的多个线圈。当向线圈提供电流时，独立线圈发射出独立磁场，磁场用于离子化靶原子。独立磁场在线圈内作用于离子以在线圈内部形成等离子体。而且，独立磁场在线圈之间彼此叠加以在线圈外形成等离子体。因此，所公开的等离子体处理系统可以沿着工件的圆周以高度的均匀性（例如，没有死空间）形成连续延伸的等离子体。本发明还提供了新型多线圈靶设计。

主权项

一种等离子体处理系统，包括：处理室，被配置成容纳半导体工件；多个线圈，对称且连续地设置在所述半导体工件的中心的周围；电源，被配置成向所述多个线圈提供一个或多个控制信号，所述一个或多个控制信号使所述线圈独立地形成独立电场或磁场，所述独立电场或磁场沿着所述半导体工件的圆周连续延伸并且在所述处理室内形成等离子体；以及法拉第屏蔽，设置在等离子体和所述处理室的侧壁之间，其中，所述处理室包括覆盖环和在底座的部分上方设置的沉积环；其中，所述多个线圈从所述半导体工件外部圆周外侧延伸至所述半导体工件外部圆周内侧，所述多个线圈中的一个或多个位于第一水平面，第一水平面与所述半导体工件的平面平行，并且横向的位于所述半导体工件的圆周和所述半导体工件的中心之间，所述多个线圈中的一个或多个位于第二水平面，所述第二水平面与所述第一水平面平行且位于所述第一水平面上方。