[发明专利]一种真空处理系统阀门组件和化学气相沉积系统有效
申请号: | 201210208948.7 | 申请日: | 2012-06-21 |
公开(公告)号: | CN103510079A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 胡兵;吴红星 | 申请(专利权)人: | 理想能源设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/54 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公布了一种真空处理系统阀门组件和化学气相沉积系统。所述真空处理系统阀门组件包括:设有传输通孔的隔板和与所述传输通孔对应的密封阀机构;所述密封阀机构包括背板、安装于所述背板上的密封板和位于背板和隔板之间的用于控制所述密封板对传输通孔的密封的气囊,所述密封板与所述通孔结构相匹配;所述气囊的工作温度高于100℃。所述真空处理系统阀门组件,通过气囊从而控制所述密封板与隔板上的传输通孔开合实现隔板两侧导通与密封,提升隔板两侧的密封与导通效果;而且所述的气囊的工作温度高于100℃,提高了真空处理系统阀门组件的工作稳定性,即使高温条件下,也不会影响薄膜沉积工艺进程的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 真空 处理 系统 阀门 组件 化学 沉积 | ||
【主权项】:
一种真空处理系统阀门组件,其特征在于,包括:隔板,在所述隔板上设有传输通孔;与所述传输通孔对应的密封阀机构,所述密封阀机构包括背板、气囊以及安装于所述背板上的密封板;所述密封板与所述传输通孔结构相匹配,且所述密封板与背板之间设有所述气囊,用于控制所述密封板对传输通孔的密封;所述气囊的工作温度高于100℃。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的