[发明专利]金属硬掩膜层制备方法以及半导体制造方法有效
| 申请号： | 201210208994.7 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102832167A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 徐强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种金属硬掩膜层制备方法以及半导体制造方法。根据本发明的铜互连形成方法包括：提供基底；在基底上淀积阻挡薄膜；在阻挡薄膜上淀积介质薄膜；在介质薄膜上淀积金属硬掩膜层；对金属硬掩膜层进行紫外光照射处理；在金属硬掩膜层上淀积硬掩膜覆盖层；执行单大马士革刻蚀工艺和/或双大马士革刻蚀工艺以刻蚀介质薄膜、硬掩膜以及硬掩膜覆盖层，从而暴露多孔介质薄膜的至少一部分孔。根据本发明，经过紫外光照射处理，金属硬掩膜层薄膜内部较弱的化学键会被去除，提高了金属硬掩膜层薄膜的质量；金属硬掩膜层薄膜产生收缩，使得金属硬掩膜层薄膜收缩而产生趋向拉伸的应力，从而能够抵消部分金属硬掩膜层薄膜中较大的压应力。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 硬掩膜层 制备 方法 以及 半导体 制造 | ||
【主权项】：
一种金属硬掩膜层制备方法，其特征在于包括：提供基底；在基底上形成金属硬掩膜层；以及对所述金属硬掩膜层进行紫外光照射处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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