[发明专利]六硼化镧-二硅化钼-碳化硅抗热震涂层的制备方法

摘要

本发明涉及一种六硼化镧-二硅化钼-碳化硅抗热震涂层的制备方法，将2D C/C复合材料烘干备用；利用液相渗硅的方法制备SiC内涂层；将MoSi2、Si、C及LaB6按一定比例球磨混合，利用包埋技术制备LaB6-MoSi2外涂层。本发明中LaB6能够细化MoSi2晶粒，促进MoSi2陶瓷涂层的烧结，提高涂层组分的渗透能力，使LaB6和MoSi2均匀有效地渗入多孔的SiC内涂层，形成致密连续的涂层组织。本发明的涂层制备方法简便，且与未改性的MoSi2-SiC涂层相比，具有更加优异的抗热震性能。

主权项

一种六硼化镧‑二硅化钼‑碳化硅抗热震涂层的制备方法，其特征在于步骤如下：步骤1：将C/C复合材料打磨抛光后用无水乙醇超声波清洗20～30min，放入烘箱中烘干备用；烘干温度为70～90℃；超声波功率为80～150W；步骤2制备SiC内涂层：步骤a1：将质量分数为70～80％的Si粉、10～20％C粉及10～15％的Al2O3粉，加入球磨罐中球磨1～3h制成包埋粉料；步骤b1：将所制包埋粉料的一半均匀铺满石墨坩埚底部，再放入C/C复合材料，随后用另一半包埋料覆盖C/C复合材料上，然后加上石墨坩埚盖；步骤c1：将石墨坩埚放入真空炉中，对真空炉进行真空处理后通Ar至常压，以5～12℃/min的升温速度将炉温升至2000～2300℃，保温1～3h；随后以5～11℃/min的降温速度将炉温降至1000～1200℃，关闭电源自然降温至室温，得到SiC内涂层；整个过程中通氩气保护；步骤3制备LaB6‑MoSi2外涂层：步骤a2：将质量分数20～30wt.％MoSi2粉、50～65wt.％Si粉、5～20wt.％C粉0～10wt.％LaB6粉在球磨机中球磨混合，得到包埋粉料；步骤b2：将步骤a2制备的包埋粉料和步骤c1得到的SiC‑C/C复合材料一起装进石墨坩埚，再将石墨坩埚放入真空炉内，对真空炉进行真空处理后通Ar至常压，以5～12℃/min的升温速度将炉温升至2000～2200℃，保温1～3h，随后以5～11℃/min的降温速度将炉温降至1000～1200℃，关闭电源自然降温至室温，在SiC‑C/C复合材料上制备出LaB6‑MoSi2外涂层；整个过程中通氩气保护。