[发明专利]终端为LDMOS的高压VDMOS管

摘要

终端为LDMOS的高压VDMOS管，在保持VDMOS管的高耐压特性的同时，增大电流工作区，还使得芯片尺寸减小，从而降低衬底材料消耗，属于半导体器件制造技术领域。现有高压VDMOS管由于杂质扩散结深比较浅，要想使器件具有更高的击穿耐压，不论哪种终端，其占用芯片面积均较大，另外，各种终端均不属于芯片电流工作区，作为芯片的组成部分没有得到充分利用。本发明其特征在于，其终端为LDMOS，LDMOS与VDMOS管的共用一个源极S和漏极D，LDMOS的门极与VDMOS管的门极G并联，LDMOS的耐压区由多个P-区与多个N区交替排列构成。采用LDMOS充当高压VDMOS管终端，在发挥耐压作用的同时增大VDMOS管的电流工作区，通态电阻较低，明显提高VDMOS管的电流处理能力。相比各种现有终端，LDMOS尺寸较小，所占用的芯片面积也较小。

主权项

一种终端为LDMOS的高压VDMOS管，其特征在于，其终端为LDMOS，LDMOS与VDMOS管共用一个源极S和漏极D，LDMOS的门极与VDMOS管的门极G并联，LDMOS的耐压区由多个P‑区与多个N区交替排列构成。