[发明专利]流电隔离器件和方法有效
| 申请号： | 201210209103.X | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102842583A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 马尔腾·雅各布思·斯万尼伯格;杜桑·戈卢保维克 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/76 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 多种示例实施例涉及一种隔离器件，所述隔离器件包括半导体层和绝缘层。所述绝缘层将半导体层的中心部分绝缘。高电压端子与绝缘层相连，第一低电压端子与半导体层的第一非绝缘部分相连，以及第二低电压端子与半导体层的第二非绝缘部分相连。第一低电压端子和第二低电压端子经由半导体层电连接。施加到高电压端子的电压影响半导体层的电导率。高电压端子与第一低电压端子和第二低电压端子流电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 流电 隔离 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种隔离器件，包括：半导体层；绝缘层，其中所述绝缘层将半导体层的中心部分绝缘；高电压端子，与绝缘层交界；第一低电压端子，与半导体层的第一非绝缘部分交界；以及第二低电压端子，与半导体层的第二非绝缘部分交界；其中所述第一低电压端子和所述第二低电压端子经由半导体层电连接，并且其中施加到高电压端子的电压影响半导体层的电导率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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