[发明专利]一种叠层金属氧化物栅介质层及其制备方法无效
| 申请号： | 201210210606.9 | 申请日： | 2012-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102779845A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 马大衍;王红波;马飞;徐可为 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/423;H01L21/285 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种叠层金属氧化物栅介质层及其制备方法。本发明采用原位原子层沉积技术，工艺过程简单，易于实现，其具体步骤为，先将半导体沉底清洗干净，放置于原子层沉积系统反应腔内；用原子层沉积方法沉积1nm厚的Al2O3界面层；之后，继续沉积一定厚度的高K薄膜；在沉积的高K薄膜之上继续沉积0.5nm厚的Al2O3界面层；而后，继续沉积一层高K薄膜。底层的Al2O3用于提高高K薄膜与半导体衬底间的带偏移，从而降低漏电流，并且有阻挡氧扩散的作用。而上层Al2O3界面层用于切断通过高K薄膜内部晶界的氧扩散及漏电流通道，从而进一步降低漏电流和提高界面稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 介质 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种叠层金属氧化物栅介质层，其特征在于：包括沉积于半导体衬底（1）上的第一Al2O3界面层（2）以及沉积于第一Al2O3界面层（2）上的第一高K金属氧化物层（3），所述第一高K金属氧化物层（3）上沉积有第二Al2O3界面层（4），第二Al2O3界面层（4）上沉积有第二高K金属氧化物层（5）。
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