[发明专利]存储元件、其制造方法以及存储装置无效
| 申请号： | 201210210759.3 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102856492A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 大场和博;水口彻也;保田周一郎;紫牟田雅之;荒谷胜久 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 褚海英;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可降低发生膜分离与膜剥落的可能性的存储元件、其制造方法以及存储装置，所述存储元件依次包括第一电极、存储层和第二电极。所述存储层包括：电阻变化层，其包含氧化物，并且所述电阻变化层设置在第一电极侧；以及离子源层，其设置在第二电极侧并且具有两个以上单位离子源层的层叠结构，所述单位离子源层包括第一层和第二层，所述第一层包含硫族元素碲(Te)、硫(S)、硒(Se)中的一种以上以及在存储层中易于移动的易移动元素，并且具有从第一电极向第二电极的易移动元素的浓度分布，并且第二层包含在存储层中难以移动的难移动元素。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 制造 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种存储元件，其依次包括第一电极、存储层和第二电极，其中，所述存储层包括：电阻变化层，其包含氧化物，并且所述电阻变化层设置在所述第一电极侧；以及离子源层，其设置在所述第二电极侧并且具有两个以上单位离子源层的层叠结构，所述单位离子源层包括第一层和第二层，所述第一层包含硫族元素碲、硫、硒中的一种以上以及在所述存储层中易于移动的易移动元素，并具有从所述第一电极向所述第二电极的所述易移动元素的浓度分布，并且所述第二层包含在所述存储层中难以移动的难移动元素。
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