[发明专利]半导体器件的清洁方法有效
| 申请号： | 201210210775.2 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102989722A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 叶明熙;庄国胜;张简瑛雪;杨棋铭;林进祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B08B7/04 | 分类号： | B08B7/04;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种方法，包括提供室，室具有第一入口和第二入口。将去离子(DI)水和酸(如，稀酸)的溶液通过第一入口提供到室。将载气(如，N2)通过第二入口提供到室。溶液和载气在室中，然后从室到达单个半导体晶圆上。在实施例中，溶液包括稀HCl和DI水。本发明还提供了一种半导体器件的清洁方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 清洁 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：提供半导体晶圆；将混合有载气的清洁溶液分配到所述半导体晶圆上，其中，所述清洁溶液是去离子水和酸。
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