[发明专利]图案化衬底的方法有效
| 申请号： | 201210210886.3 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102842497B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 曼弗雷德·恩格尔哈德特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;宋春妮 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明总体上涉及图案化衬底的方法。在各种实施方式中，图案化衬底的方法可以包括：在衬底上或上方形成辅助层并且在辅助层上或上方形成等离子体蚀刻掩模层，其中设置该辅助层，以使其可以比等离子体蚀刻掩模层更容易地从所述衬底上去除；图案化等离子体蚀刻掩模层和该辅助层，以使衬底的至少一部分暴露；通过使用图案化的等离子体蚀刻掩模层作为等离子体蚀刻掩模的等离子体蚀刻方法来图案化衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种图案化衬底的方法，所述方法包括：在衬底上或上方形成辅助层并且在所述辅助层上或上方形成等离子体蚀刻掩模层，其中，设置所述辅助层以使其比所述等离子体蚀刻掩模层更容易地从所述衬底上去除；图案化所述等离子体蚀刻掩模层和所述辅助层以使所述衬底的至少一部分暴露；通过使用所述图案化的等离子体蚀刻层作为等离子体蚀刻掩模来图案化所述衬底，其中，所述等离子体蚀刻掩模层包括金属，其中，所述衬底选自由以下组成的组：碳化硅衬底；氧化铝衬底；金刚石衬底；II‑VI半导体衬底；III‑V半导体衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210210886.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多功能远红外保健护膝
- 下一篇：电动双管路喷雾器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
