[发明专利]新型后装治疗用钴-60γ源及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201210210984.7 申请日: 2012-06-26
公开(公告)号: CN102723118A 公开(公告)日: 2012-10-10
发明(设计)人: 吴贵华;魏谦;唐智;汤利均;陈广军;刘宜树;田建春 申请(专利权)人: 成都中核高通同位素股份有限公司
主分类号: G21G4/08 分类号: G21G4/08
代理公司: 北京中海智圣知识产权代理有限公司 11282 代理人: 白凤武
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种新型后装治疗用钴-60γ源,包括包壳、密封塞和源芯,所述源芯为镀镍钴-60粒子,所述源芯置于所述包壳内,所述密封塞安装于所述包壳的开口内并与所述包壳密封连接。本发明还公开了一种新型后装治疗用钴-60γ源的制备方法,包括以下步骤:加工包壳和密封塞,清洗干燥后备用;选取放射性活度范围在18.5GBq~46.2GBq之间的镀镍钴-60粒子,清洗后晾干备用;将选取的镀镍钴-60粒子装入不锈钢包壳内,再将不锈钢密封塞安装于不锈钢包壳的开口内,并通过氩弧焊接密封;进行检验,合格后即得新型后装治疗用钴-60γ源。本发明不依赖反应堆的直接辐照,而是采用具有γ放射性的钴-60粒子制备,制作简单、速度快,能够满足病人需求。
搜索关键词: 新型 治疗 60 及其 制备 方法
【主权项】:
一种新型后装治疗用钴‑60γ源,其特征在于:包括包壳、密封塞和源芯,所述源芯为镀镍钴‑60粒子,所述源芯置于所述包壳内,所述密封塞安装于所述包壳的开口内并与所述包壳密封连接。
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