[发明专利]一种基于TiO2-CuInS2核壳纳米棒阵列的有机/无机杂化太阳电池及其制备方法有效
申请号: | 201210211088.2 | 申请日: | 2012-06-25 |
公开(公告)号: | CN102842676A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 岳文瑾;王命泰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院等离子体物理研究所 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 230031 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于TiO2-CuInS2异质核壳结构纳米棒阵列的有机/无机杂化太阳电池及其制备方法,电池组成包括有玻璃衬基、作为阳极的FTO层、TiO2-CuInS2异质核壳结构纳米棒阵列、TiO2-CuInS2异质核壳结构纳米棒的CuInS2壳层、MEH-PPV膜层、PEDOT:PSS空穴传导层以及作为电池阴极的Au膜层。本发明制备方法简便,CuInS2量子点的沉积量易控。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 tio sub cuins 纳米 阵列 有机 无机 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于TiO2‑CuInS2异质核壳结构纳米棒阵列的有机/无机杂化太阳电池,其特征在于:包括有玻璃衬基、作为阳极的FTO层、TiO2‑CuInS2异质核壳结构纳米棒阵列、TiO2‑CuInS2异质核壳结构纳米棒的CuInS2壳层、MEH‑PPV膜层、PEDOT:PSS空穴传导层以及作为电池阴极的Au膜层;所述的FTO层镀在玻璃衬基上作为电池的阳极,以垂直生长于FTO层之上的TiO2‑CuInS2异质核壳结构纳米棒阵列作为电池的电子传输通道,用MEH‑PPV为主要的光吸收材料和CuInS2壳层为辅助吸光材料,MEH‑PPV填充到TiO2‑CuInS2异质核壳结构纳米棒的间隙之中,同时在TiO2‑CuInS2异质核壳结构纳米阵列上方形成MEH‑PPV膜层,在MEH‑PPV膜层上沉积PEDOT:PSS作为空穴传导层,在空穴传导层上沉积Au膜作为电池的阴极。
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