[发明专利]固态成像元件及其制造方法、电子装置及其制造方法有效
申请号: | 201210211246.4 | 申请日: | 2012-06-20 |
公开(公告)号: | CN102856335B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 桝田佳明 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148;H04N5/335 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 曲莹 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本技术涉及固态成像元件及其制造方法、电子装置及其制造方法。本技术的固态成像元件的制造方法包括形成透镜的步骤,所述透镜各自设置成与配置在半导体基板之上的成像区域中的多个像素中的相应一个的受光部相对应,并且向所述受光部上聚集光;通过使用具有遮光能力的材料在所述透镜上进行膜沉积来形成遮光层的步骤;以及通过以在所述透镜之间的分界部分处残留具有遮光能力的材料的方式蚀刻所述遮光层,来在彼此相邻的透镜之间的分界部分处形成由所述具有遮光能力的材料构成的遮光部的步骤。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 元件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】:
一种用于制造固态成像元件的方法,包括:形成透镜的步骤,所述透镜各自设置成与配置在半导体基板之上的成像区域中的多个像素中的相应一个的受光部相对应,并且向所述受光部上聚集光;通过使用具有遮光能力的材料在所述透镜上进行膜沉积来形成遮光层的步骤;以及通过以在所述透镜之间的分界部分处残留具有遮光能力的材料的方式蚀刻所述遮光层,来在彼此相邻的透镜之间的分界部分处形成由所述具有遮光能力的材料构成的遮光部的步骤,所述方法还包括:在形成透镜的步骤与形成遮光层的步骤之间,通过使用相对于所述具有遮光能力的材料具有蚀刻选择性的材料,来在所述透镜上形成蚀刻阻止膜的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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