[发明专利]平板型高场非对称波形离子迁移谱仪的聚焦装置及方法有效
申请号: | 201210211272.7 | 申请日: | 2012-06-20 |
公开(公告)号: | CN102723254A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 唐飞;徐初隆;王晓浩 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01J49/06 | 分类号: | H01J49/06;H01J49/40 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 邸更岩 |
地址: | 100084 北京市海淀区1*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 平板型高场非对称波形离子迁移谱仪的聚焦装置及方法,该迁移谱仪包括离子源、迁移区和检测单元,在迁移区内平行放置上基片和下基片,在上基片和下基片分别设置上迁移区电极和下迁移区电极,上迁移区电极与非对称波形射频电源和直流扫描补偿电源相连,其特征在于:在迁移区前端设置至少一个聚焦区,在每个聚焦区的上基片和下基片上设置至少一副聚焦极板对。采用上述聚焦装置的聚焦方法,其特征在于:在每副聚焦极板对上施加电压,使离子在进入迁移区之前向中心聚集,施加的电压有两种模式:直流聚焦模式为在聚焦极板对上间隔施加相同的直流电压;射频聚焦模式为在每副聚焦极板对上施加正弦射频电压,相邻聚焦极板对射频电压相位相差180°。 | ||
搜索关键词: | 平板 型高场非 对称 波形 离子 迁移 聚焦 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种平板型高场非对称波形离子迁移谱仪的聚焦装置,所述的平板型高场非对称波形离子迁移谱仪包括离子源(2)、迁移区(3)和检测单元(8);在迁移区(3)内平行放置上基片(4)和下基片(5),在上基片(4)和下基片(5)上分别设置上迁移区电极(6)和下迁移区电极(7),上迁移区电极(6)分别与非对称波形射频电源(10)和直流扫描补偿电源(9)相连,其特征在于:在迁移区(3)前端设置至少一个聚焦区(11),在每个聚焦区(11)的上基片(4)和下基片(5)上设置至少一副聚焦极板对,并上下正对。
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