[发明专利]平板型高场非对称波形离子迁移谱仪的聚焦装置及方法有效

专利信息
申请号: 201210211272.7 申请日: 2012-06-20
公开(公告)号: CN102723254A 公开(公告)日: 2012-10-10
发明(设计)人: 唐飞;徐初隆;王晓浩 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H01J49/06 分类号: H01J49/06;H01J49/40
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 邸更岩
地址: 100084 北京市海淀区1*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 平板型高场非对称波形离子迁移谱仪的聚焦装置及方法,该迁移谱仪包括离子源、迁移区和检测单元,在迁移区内平行放置上基片和下基片,在上基片和下基片分别设置上迁移区电极和下迁移区电极,上迁移区电极与非对称波形射频电源和直流扫描补偿电源相连,其特征在于:在迁移区前端设置至少一个聚焦区,在每个聚焦区的上基片和下基片上设置至少一副聚焦极板对。采用上述聚焦装置的聚焦方法,其特征在于:在每副聚焦极板对上施加电压,使离子在进入迁移区之前向中心聚集,施加的电压有两种模式:直流聚焦模式为在聚焦极板对上间隔施加相同的直流电压;射频聚焦模式为在每副聚焦极板对上施加正弦射频电压,相邻聚焦极板对射频电压相位相差180°。
搜索关键词: 平板 型高场非 对称 波形 离子 迁移 聚焦 装置 方法
【主权项】:
一种平板型高场非对称波形离子迁移谱仪的聚焦装置,所述的平板型高场非对称波形离子迁移谱仪包括离子源(2)、迁移区(3)和检测单元(8);在迁移区(3)内平行放置上基片(4)和下基片(5),在上基片(4)和下基片(5)上分别设置上迁移区电极(6)和下迁移区电极(7),上迁移区电极(6)分别与非对称波形射频电源(10)和直流扫描补偿电源(9)相连,其特征在于:在迁移区(3)前端设置至少一个聚焦区(11),在每个聚焦区(11)的上基片(4)和下基片(5)上设置至少一副聚焦极板对,并上下正对。
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