[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201210211291.X 申请日: 2012-06-21
公开(公告)号: CN103367337A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 渡边弘道;冈谦治 申请(专利权)人: 富士通天株式会社
主分类号: H01L23/66 分类号: H01L23/66;H01L21/60
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 樊建中
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体装置以及半导体装置的制造方法,能抑制成本并提高传输性能。半导体装置具有:电路基板(11)、MMIC芯片(121)、传输线路(13a)~(13o)、第一引线(W1)~(W12)和第二引线(W13)~(W15)。MMIC芯片(121)设置在电路基板(11)上。传输线路(13a)~(13o)形成在电路基板(11)上且与MMIC芯片(121)连接。第一引线(W1)~(W12)是一端与MMIC芯片(121)的端子接合之后,另一端与传输线路(13a)~(13l)的端子接合的引线。第二引线(W13)~(W15)是一端与传输线路(13m)~(13o)的端子接合之后,另一端与MMIC芯片(121)的端子接合的引线。
搜索关键词: 半导体 装置 以及 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,其特征为,具有:基板上的芯片;传输线路,其形成在上述基板上且与上述芯片连接;第一引线,其一端与上述芯片的端子进行接合之后,另一端与上述传输线路的端子进行了接合;第二引线,其一端与上述传输线路的端子进行接合之后,另一端与上述芯片的端子进行了接合。
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