[发明专利]一种用于碲镉汞深孔台面芯片薄膜制备的光刻方法

摘要

本发明公开了一种用于碲镉汞深孔台面芯片薄膜制备的光刻方法。本发明中的光刻方法是指：配制一种用于旋涂的在显影液中腐蚀尺寸可控厚度可控的牺牲薄膜层溶胶，在涂胶步骤中，在芯片表面先旋涂一层该牺牲薄膜溶胶层，烘干后获得牺牲薄膜层，再旋涂用于图形曝光的厚型光刻胶；芯片烘干曝光后放入显影液中进行显影，显影过程中显影液同时腐蚀牺牲薄膜层，可以获得下面尺寸略大于上面曝光区域的光刻图形。采用该光刻图形，芯片薄膜制备后，剥离可以获得光洁的剥离边缘，图形边缘不会有薄膜层的多余残留物。采用本发明中的牺牲薄膜层进行光刻，特别适用于表面有深孔台面结构的芯片的选择性薄膜制备，既能保护台面结构，又能保证薄膜剥离的完整干净。

主权项

一种用于碲镉汞深孔台面芯片薄膜制备的光刻方法，其特征在于包括以下步骤：1)用移液管分别抽取Microchem公司生产的剥离胶“LOR10A”20毫升和“LOR10B”10毫升放入同一烧杯中，静置10~20分钟；2)将烧杯中的两种剥离胶用玻璃棒缓慢地搅动20~30分钟，以保证两种剥离胶混合均匀，获得用于光刻的牺牲薄膜层溶胶；3)将匀胶台的转速设置为2000~3000rpm，在待光刻的台面芯片表面旋涂一层1～2微米厚的牺牲薄膜层溶胶，放入60~70度的烘箱中烘烤20~40分钟；4)在旋涂过牺牲薄膜层的芯片表面旋涂一层厚度4～6微米的AZ Electronic Materials公司生产的AZ4620光刻胶，放入60~70度的烘箱中烘烤20~40分钟；5)将烘烤后的样品放在光刻机上对准，曝光10～20秒，然后将样品放入AZ Electronic Materials公司生产的AZ400k显影液中显影腐蚀40～60秒，在去离子水中过洗定影，获得下面大上面小的光刻孔，并且芯片的深孔区域被完整保护。