[发明专利]一种锰钴镍氧线列探测器的微台面制作方法无效
| 申请号： | 201210211471.8 | 申请日： | 2012-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102774806A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 黄志明;周炜;张雷博;吴敬;褚君浩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种锰钴镍氧线列探测器的微台面制作方法。其采用湿法腐蚀与干法刻蚀相结合的方法，完成了6-10微米厚的锰钴镍氧薄膜材料的刻蚀，得到了图形转移精度较高、台面平整度好、侧蚀比小的线列探测元微台面。为锰钴镍线列及阵列探测器的发展打下了良好的基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锰钴镍氧线列 探测器 台面 制作方法 | ||
【主权项】：
一种锰钴镍氧线列探测器的微台面制作方法，其特征在于具体步骤如下：步骤A：取一片在白宝石片上利用化学溶液法制作的，膜厚在6‑10微米之间的锰钴镍氧薄膜样品片，进行常规方法清洗、干燥、掩膜光刻；步骤B：在33℃‑36℃的水浴条件下、使用质量分数38%‑42%的氢溴酸对薄膜样品进行5.5‑6.5分钟的湿法刻蚀、清洗、干燥；步骤C：干法刻蚀30‑60分钟，去胶、清洗、干燥；步骤D：根据化学溶液法所涉及到的样片的层数估计总膜厚，依据锰钴镍氧薄膜的厚度，重复步骤A、B、C中的各步，直至得到所需探测元台面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所，未经中国科学院上海技术物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210211471.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
