[发明专利]一种类垂直式发光二极管及其制作方法无效
| 申请号： | 201210211855.X | 申请日： | 2012-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102723429A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 钟伟荣;熊威;李政宪 | 申请（专利权）人： | 钟伟荣 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海衡方知识产权代理有限公司 31234 | 代理人： | 李泰敏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种类垂直式发光二极管，从上至下包括打线电极，蓝宝石衬底，N-GaN层，发光层，P-GaN层，电流扩散层，绝缘层，邦定金属介层，支撑基板，蓝宝石衬底两侧均具有等离子干法腐蚀形成的粗糙面，该蓝宝石衬底中具有激光挖孔所形成的通孔，并通过金属回填通孔，使N-GaN层上的电极和打线电极相连接；这种类垂直式发光二极管结合正装结构、倒装结构和垂直结构的优点，保留了原来外延成长所使用的蓝宝石衬底，避免垂直结构的发光二极管在激光剥离蓝宝石衬底所造成的应力损伤，省去倒装结构的发光二极管植球固晶等繁琐且精密的工艺，提供了发光二极管另一个增加出光效率和改善散热的技术途径。 | ||
| 搜索关键词： | 种类 垂直 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种类垂直式发光二极管，从上至下包括打线电极，蓝宝石衬底，N‑GaN层，发光层，P‑GaN层，电流扩散层，绝缘层，邦定金属介层，支撑基板，其特征在于，蓝宝石衬底两侧均具有等离子干法腐蚀形成的粗糙面，该蓝宝石衬底中具有激光挖孔所形成的通孔，并通过金属回填通孔，使N‑GaN层上的电极和打线电极相连接。
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