[发明专利]成像元件及其驱动方法和制造方法以及电子设备有效
申请号: | 201210212348.8 | 申请日: | 2012-06-21 |
公开(公告)号: | CN102857711B | 公开(公告)日: | 2017-11-17 |
发明(设计)人: | 山川真弥 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H04N5/355 | 分类号: | H04N5/355;H04N5/374;H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 黄剑飞 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种成像元件,包括多个像素。多个像素的每个像素包括如下的元件。光电传感器,布置于多个像素的每个像素内并被配置产生对应接收的光的电荷。存储单元,具有预定的电容并被配置在其中存储从光电传感器传送的电荷。电容器,与硅衬底分开布置且在电容器和硅衬底之间有层间绝缘薄膜,光电传感器和存储单元形成在硅衬底上。连接单元,与硅衬底分开布置且在连接单元和硅衬底之间有层间绝缘薄膜,连接单元被配置以连接存储单元和电容器。 | ||
搜索关键词: | 成像 元件 及其 驱动 方法 制造 以及 电子设备 | ||
【主权项】:
一种包括多个像素的成像元件,所述多个像素的每个像素包括:光电转换器,布置在多个像素的每个像素内并且被配置以生成与接收的光对应的电荷;存储单元,具有预定的电容并且被配置以在其中存储从光电转换器传送的电荷;电容器,与硅衬底之间用层间绝缘薄膜隔开布置,光电传感器和存储单元形成在硅衬底内;以及连接单元,与硅衬底之间用层间绝缘膜隔开布置,并被配置为选择性地连接存储单元和电容器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210212348.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:LED灯高效散热器
- 下一篇:控制断路器操作的方法和装置