[发明专利]半导体加工系统的清洁方法和装置无效
| 申请号： | 201210212418.X | 申请日： | 2007-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN102747336A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 小弗朗克·迪梅奥;詹姆斯·迪茨;W·卡尔·奥兰德;罗伯特·凯姆;史蒂文·E·毕晓普;杰弗里·W·纽纳;乔斯·I·阿尔诺;保罗·J·马尔甘斯基;约瑟夫·D·斯威尼;戴维·埃尔德里奇;沙拉德·叶戴夫;奥列格·比尔;格雷戈里·T·施陶夫 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司 |
| 主分类号： | C23C14/56 | 分类号： | C23C14/56;C23C14/48;C23C16/44;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张英;刘书芝 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体加工系统的清洁方法和装置。本发明涉及一种清洁离子注入系统的一个或多个组件以从所述一个或多个组件至少部分去除离子化相关沉积物的方法，包括使所述一个或多个组件与包含气相反应性材料的清洁组合物接触，在使所述气相反应性材料能够与所述沉积物发生反应的条件下，以实现所述至少部分去除。本发明的方法和装置能够最小化暴露在卤间化合物中的危险。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 加工 系统 清洁 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种清洁离子注入系统的一个或多个组件以从所述一个或多个组件至少部分去除离子化相关沉积物的方法，所述方法包括使所述一个或多个组件与包含气相反应性材料的清洁组合物接触，其是在使所述气相反应性材料能够与所述沉积物发生反应的条件下，以实现所述至少部分去除。
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