[发明专利]快速热退火方法无效
| 申请号： | 201210212947.X | 申请日： | 2012-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103515192A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 王曼;崔国东;苏小鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324;C30B33/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种快速热退火方法，用于对晶圆进行快速热退火处理，包括如下步骤：采用晶圆静止型热退火机台对监控晶圆进行初步热退火处理；采用晶圆转动型热退火机台对进行所述初步热退火处理后的监控晶圆进行完全热退火处理。该方法既保证了加热的均匀性，又避免了监控晶圆引起晶圆转动型热退火机台报警。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 退火 方法 | ||
【主权项】：
一种快速热退火方法，用于对晶圆进行快速热退火处理，其特征在于，包括如下步骤：采用晶圆静止型热退火机台对监控晶圆进行初步热退火处理；采用晶圆转动型热退火机台对进行所述初步热退火处理后的监控晶圆进行完全热退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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