[发明专利]基于中远场主波束幅相合成的相控阵局部阵面辐射场快速推演方法无效
| 申请号： | 201210213520.1 | 申请日： | 2012-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN102735949A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 谢大刚;吴楠;王春;温定娥;张炜;黄明亮 | 申请（专利权）人： | 中国舰船研究设计中心 |
| 主分类号： | G01R29/08 | 分类号： | G01R29/08;G01R29/10 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 胡建平;周艳红 |
| 地址： | 430064 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种基于中远场主波束幅相合成的相控阵局部阵面辐射场快速推演方法，属于电磁兼容性预测领域，它包括如下步骤：1）架设相控阵局部阵面和测试天线，使二者主波束对准且极化匹配，测试天线位于相控阵局部阵面的主波束辐射场内、且与相控阵局部阵面中心的距离为R，测试天线的射频输出端接入频谱分析仪；2）相控阵局部阵面以频率f定波束发射，通过测试天线测得距离相控阵局部阵面中心R处场点的场强为Ep(f)；3）由式EA(f)=NEp(f)推演得到相控阵全阵在R处产生的场强EA(f)，式中，N为相控阵全阵面与相控阵局部阵面的阵元个数之比。本发明能够根据相控阵局部阵辐射场的模拟实验推演出相控阵全阵的辐射场，其操作快速、简便，工业适用性强。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 中远场主 波束 相合 相控阵 局部 辐射 快速 推演 方法 | ||
【主权项】：
一种基于中远场主波束幅相合成的相控阵局部阵面辐射场快速推演方法，其特征在于，它包括如下步骤：1）架设相控阵局部阵面和测试天线，使二者主波束对准且极化匹配，测试天线位于相控阵局部阵面的主波束辐射场内、且与相控阵局部阵面中心的距离为R，测试天线的射频输出端接入频谱分析仪；2）相控阵局部阵面以频率f定波束发射，通过测试天线测得距离相控阵局部阵面中心R处场点的场强为Ep(f)；3）由式EA(f)＝NEp(f)推演得到相控阵全阵在R处产生的场强EA(f)，式中，N为相控阵全阵面与相控阵局部阵面的阵元个数之比。
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