[发明专利]实现带隙基准电路低温漂的装置无效
| 申请号： | 201210213545.1 | 申请日： | 2012-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN102707760A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 徐江涛;于海明;高静;史再峰;姚素英 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路领域。为利用多晶硅电阻的温度系数补偿负温度系数电压的高阶项，降低带隙基准电路的温漂，为达到上述目的，本发明采取的技术方案是，实现带隙基准电路低温漂的装置，由MOS管P1、P2，放大器，电阻R1、电容C1，三极管Q1、Q2，电阻Rs、Rn组成，其中，电阻Rs、Rn均为负温度系数的多晶硅电阻，阻值随温度变化量为：R＝Ro×[1+TC1(T-T0)+TC2(T-T0)2] (5)其中R0为室温下电阻的阻值，T0为室温27℃，TC1与TC2均为常数，T为当前温度。本发明主要应用于带隙基准电路中与温度无关的基准电压产生电路的设计制造。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 基准 电路 低温 装置 | ||
【主权项】：
一种实现带隙基准电路低温漂的装置，其特征是，由mos管P1、P2，放大器，电阻R1、电容C1，三极管Q1、Q2，电阻Rs、Rn组成，其中，电阻Rs、Rn均为负温度系数的多晶硅电阻，阻值随温度变化量为：R＝Ro×[1+TC1(T‑T0)+TC2(T‑T0)2] 。 (5)
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