[发明专利]通孔的处理方法有效
| 申请号： | 201210214164.5 | 申请日： | 2012-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN103515295A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 刘焕新;袁竹根;胡春周 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种通孔的处理方法，包括：提供通孔，所述通孔用作金属互连，其形成在层间介质层及位于层间介质层上的氮化钛层内，所述通孔由干法刻蚀形成；利用EKC溶液清洗所述通孔；在EKC溶液清洗后，利用臭氧去离子水回刻所述通孔边缘的氮化钛层，以将所述通孔的开口拓宽；在进行所述回刻后，利用HF酸清洗所述通孔。由于采用臭氧去离子水溶液把所述通孔的开口拓宽，避免了原来EKC和具有氧化性双氧水混合的处理方式中发生的pH值突然降低而引起的双氧水对下层铜的氧化带来的损害。本发明的整个处理方法效果稳定，工艺可控，不容易带来不良效果。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种通孔的处理方法，其特征在于，包括：提供通孔，所述通孔用作金属互连，其形成在层间介质层及位于层间介质层上的氮化钛层内，所述通孔由干法刻蚀形成；利用EKC溶液清洗所述通孔；在EKC溶液清洗后，利用臭氧去离子水回刻所述通孔边缘的氮化钛层，以将所述通孔的开口拓宽；在进行所述回刻后，利用HF酸清洗所述通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
