[发明专利]掩模版、静态随机存取存储单元及存储器有效
| 申请号： | 201210214369.3 | 申请日： | 2012-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN102723328A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种具有静态随机存取存储单元图形的掩模版、一种静态随机存取存储单元及存储器。掩模版包括至少一个存取NMOS晶体管图形和至少一个负载PMOS晶体管图形，两者数量相等且具有相同的第一临界尺寸，存取NMOS晶体管图形与负载PMOS晶体管图形成对排布，且在第一临界尺寸方向上正对连接。静态随机存取存储单元包括至少一个存取NMOS晶体管和至少一个负载PMOS晶体管，两者数量相等且具有相同的第一临界尺寸，存取NMOS晶体管与负载PMOS晶体管位于衬底上，成对排布，且在第一临界尺寸方向上正对连接。存储器包括上述的存储单元。本发明制作简便，不影响器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 模版 静态 随机存取 存储 单元 存储器 | ||
【主权项】：
一种具有静态随机存取存储单元图形的掩模版，包括至少一个存取NMOS晶体管图形及至少一个负载PMOS晶体管图形；所述的存取NMOS晶体管图形和负载PMOS晶体管图形数量相等且具有相同的第一临界尺寸，其特征在于：所述存取NMOS晶体管图形与所述负载PMOS晶体管图形成对排布，且在第一临界尺寸方向上正对连接。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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