[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201210214479.X | 申请日： | 2012-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN102855937B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 李炯珉 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 俞波,郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了半导体存储器件及其操作方法。所述操作方法包括执行第一LSB编程循环，以将第一LSB数据存储在字线的第一存储单元中；执行第二LSB编程循环，以将第二LSB数据存储在所选字线的第二存储单元中，并检测具有低于呈负电位的过擦除参考电压的阈值电压的过擦除存储单元以将所述阈值电压提高至高于所述过擦除参考电压；执行第一MSB编程循环，以将第一MSB数据存储在所述第一存储单元中；以及，执行第二MSB编程循环，以将第二MSB数据存储在所述第二存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件的操作方法，包括：执行第一最低有效位LSB编程循环，以将第一LSB数据存储在所选字线的第一存储单元中；执行第二LSB编程循环，以将第二LSB数据存储在所选字线的第二存储单元中，并将第二存储单元中的低于呈负电位的过擦除参考电压的过擦除存储单元的阈值电压提高至高于所述过擦除参考电压；执行第一最高有效位MSB编程循环，以将第一MSB数据存储在所述第一存储单元中；以及执行第二MSB编程循环，以将第二MSB数据存储在所述第二存储单元中，其中，所述执行第二LSB编程循环包括：执行LSB编程操作，以将选自所述第二存储单元的存储单元的阈值电压提高至高于LSB验证电压并将所述过擦除存储单元的阈值电压提高至高于所述过擦除参考电压；执行第一编程验证操作，以检查所选存储单元的阈值电压是否高于所述LSB验证电压；以及执行第二编程验证操作，以检查所述过擦除存储单元的阈值电压是否高于所述过擦除参考电压，以及其中，在所述第二编程验证操作的执行中：将对应于所述过擦除参考电压的绝对值的正电压供应给一组过擦除存储单元；以及将比在所述第一编程验证操作中供应给所选存储单元的电压高出所述绝对值的电压供应给所述过擦除存储单元。
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