[发明专利]氮化铝陶瓷基板30瓦8dB衰减片无效
| 申请号： | 201210216164.9 | 申请日： | 2012-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102709636A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 陈建良 | 申请（专利权）人： | 苏州市新诚氏电子有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/22 | 分类号： | H01P1/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215129 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板30瓦8dB衰减片，其包括一尺寸为5*5*1MM的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成TT型衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。该衰减片在案设计上充分考虑了各项性能指标，高频无感，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，能够满足目前3G网络的应用要求，同时延伸了30瓦固定电阻式衰减片的系列产品线。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 陶瓷 30 db 衰减 | ||
【主权项】：
一种氮化铝陶瓷基板30瓦8dB衰减片，其特征在于：其包括一5*5*1MM的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻连接形成衰减电路，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。
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