[发明专利]氮化镓半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210216208.8 | 申请日： | 2006-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN102751335A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 朱廷刚;布赖恩·S.·谢尔顿;马莱克·K.·帕比兹;马克·戈特弗里德;刘琳蔺;米兰·波弗里斯迪克;迈克尔·墨菲;理查德·A.·斯托尔 | 申请（专利权）人： | 电力集成公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L31/0304;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 杨勇;郑建晖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于氮化镓的半导体肖特基二极管，由以下层制造而成：设置在蓝宝石衬底上厚度为1-6微米之间的n+掺杂氮化镓层；设置在所述n+氮化镓层之上的厚度大于1微米的n-掺杂氮化镓层，经过构图成为多个细长的指状物；设置在n-掺杂氮化镓层上并与之形成肖特基结的金属层。选择优化各层的厚度以及细长指状物的长度和宽度以实现击穿电压大于500伏、电流容量超过1安培的以及正向电压低于3伏的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基于氮化镓的半导体二极管，包括：衬底；设置在所述衬底上的n+掺杂氮化镓层，厚度为1‑6微米；设置在所述n+氮化镓层上的n‑掺杂氮化镓层，厚度大于1微米，其中所述n‑掺杂氮化镓层被构图为一系列平行且细长的台面指状区域，每个指状区域的宽度为至少30微米、但小于200微米；以及设置在所述n‑掺杂氮化镓层上并与之形成肖特基结的金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电力集成公司，未经电力集成公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210216208.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：应用电梯内人数统计设备
- 下一篇：电线电缆成圈包装专用放线架
- 同类专利
- 专利分类
