[发明专利]固体摄像器件、其制造方法以及电子装置有效
申请号: | 201210216721.7 | 申请日: | 2012-06-27 |
公开(公告)号: | CN102867835A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 佐藤尚之;宫波勇树 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了固体摄像器件、其制造方法以及电子装置。该固体摄像器件包括:光电转换部,其包括形成在半导体层中的第一导电型的电荷累积区;像素,其包括所述光电转换部以及像素晶体管;像素区域,其中布置有多个所述像素;第一导电型的外延生长半导体层,其形成在沟槽的内壁部上,所述沟槽设置于所述像素区域内至少相邻像素之间的所述半导体层中;以及像素分离部,其用于使所述相邻像素的电荷累积区彼此分离,所述像素分离部形成在所述第一导电型的外延生长半导体层的内侧上。本发明的固体摄像器件能够减小像素分离部的宽度并增加光电转换部的面积。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 制造 方法 以及 电子 装置 | ||
【主权项】:
一种固体摄像器件,其包括:光电转换部,其包括形成在半导体层中的第一导电型的电荷累积区;像素,其包括所述光电转换部以及像素晶体管;像素区域,在所述像素区域中布置有多个所述像素;第一导电型的外延生长半导体层,其形成在沟槽的内壁部上,所述沟槽设置于至少位于所述像素区域内相邻的所述像素之间的所述半导体层中;以及像素分离部,其用于使相邻的所述像素的电荷累积区彼此分离,所述像素分离部形成在所述第一导电型的外延生长半导体层的内侧上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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