[发明专利]一种支持可控硅调光的高功率因数LED驱动电路

摘要

本发明涉及一种支持可控硅调光的高功率因数LED驱动电路。本发明实现的替换型小功率LED驱动器为电气隔离型电路，电路采用反激变换拓扑结构，使用隔离式变压器进行能量的存储和传输，使用外接的三端可控硅调光器进行调光。为实现调光功能，考虑使用集成了MOSFET的开关电源管理芯片NXPSSL2101T、使用三端可控硅调光开关产生输入信号、使用电阻分压方式产生亮度控制信号等。为实现高功率因数，考虑使用了填谷式PFC校正电路，包括3个电容和2个二极管。在小功率限制下，为实现较高效率，采用反激式拓扑结构。本发明提高了电路集成度、功率因数及电路转换效率。

主权项

一种支持可控硅调光的高功率因数LED驱动电路，包括EMI滤波电路（1）、输入整流电路（2）、功率因数校正电路（3）、电阻分压采样电路（4）、强‑弱分压泄流电路（5）、外接RC振荡电路（6）、输入电流采样电路（7）、变压器初级钳位电路（8）、隔离式高频开关变压器（9）、开关电源管理芯片（10）、VCC产生电路（11）、输出整流滤波电路（12）、输出电压采样电路（13）、参考电压产生电路（14）、比较电路（15）和光电耦合电路（16），其特征在于：所述的EMI滤波电路（1）输入端串联一个可控硅调光器，接入交流市电，输出端与输入整流电路（2）的输入端联接；所述的功率因数校正电路（3）与输入整流电路（2）的输出端并联；所述的电阻分压采样电路（4）联接输入整流电路（2）的整流输出高压端和开关电源管理芯片（10）的功率地端，输出端联接开关电源管理芯片（10）；所述的强‑弱分压泄流电路（5）联接输入整流电路（2）的整流输出高压端和开关电源管理芯片（10）；所述的外接RC振荡电路（6）联接所述的开关电源管理芯片（10）；所述的输入电流采样电路（7）联接所述的开关电源管理芯片（10）的功率地端和输入整流电路（2）的整流参考地端，输出端联接所述的开关电源管理芯片（10）；所述的变压器初级钳位电路（8）与所述的隔离式高频开关变压器（9）的初级绕组a并联；所述的隔离式高频开关变压器（9），其初级绕组a通过开关电源管理芯片（10）和输入电流采样电路（7），与输入整流电路（2）的输出端联接；所述的的隔离式高频开关变压器（9），其辅助绕组b通过所述的VCC产生电路（11），与开关电源管理芯片（10）联接；所述的输出整流滤波电路（12）的输入端与隔离式高频开关变压器（9）的次级绕组c联接，输出端与LED负载联接；所述的输出电压采样电路（13）的输入端与输出整流滤波电路（12）的输出端联接，其输出端与所述的比较电路（15）的输入端联接，比较电路（15）的输入端联接至所述参考电压产生电路（14）；所述的比较电路（15）通过所述的光电耦合电路（16），与开关电源管理芯片（10）联接；首先，所述的可控硅调光器将交流市电转换成一个缺相的交流电压，通过所述的EMI滤波电路（1）、输入整流电路（2），将交流市电转换为缺相的直流脉动电压；然后，通过所述的电阻分压采样电路（4）将直流脉动电压的有效值转换成一个调光控制信号，送给所述的开关电源管理芯片（10）；最后，由所述的开关电源管理芯片（10）控制内部MOSFET导通或关断，对所述的隔离式高频开关变压器（9）的初级绕组a进行充电、放电，将能量传递到次级绕组c，经过所述的输出整流滤波电路（12）进行整流滤波，产生一个平滑的直流电压信号，用于驱动LED负载。