[发明专利]应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的发光二极管无效
申请号: | 201210217242.7 | 申请日: | 2012-06-27 |
公开(公告)号: | CN102751408A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 马骏;汪炼成;张逸韵;伊晓燕;王国宏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的发光二极管,包括:一衬底;一载流子注入层,其制作在衬底上;一发光层,其制作在载流子注入层上面的一侧,宽度小于载流子注入层的宽度,使载流子注入层形成一台面;一石墨烯薄膜,其制作在发光层上;一下金属电极,其制作于载流子注入层的台面上;一上金属电极,其制作于石墨烯薄膜上。本发明是通过使用石墨烯薄膜作为载流子注入层的方法,提高空穴注入,减小电子注入层厚度,降低成本。 | ||
搜索关键词: | 应用 石墨 薄膜 作为 载流子 注入 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的发光二极管,包括:一衬底;一载流子注入层,其制作在衬底上;一发光层,其制作在载流子注入层上面的一侧,宽度小于载流子注入层的宽度,使载流子注入层形成一台面;一石墨烯薄膜,其制作在发光层上;一下金属电极,其制作于载流子注入层的台面上;一上金属电极,其制作于石墨烯薄膜上。
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