[发明专利]用于FinFET的装置有效
| 申请号： | 201210217511.X | 申请日： | 2012-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103378135B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L27/11;G11C11/40 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于FinFET的装置。FinFET包括形成在衬底中的隔离区；形成在衬底中的倒T形鳍，其中倒T形鳍的底部被隔离区包围，而倒T形鳍的上部在隔离区的顶面之上凸出。FinFET还包括围绕倒T形鳍的栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 finfet 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：形成在衬底中的隔离区；形成在所述衬底中的倒T形鳍，其中：所述倒T形鳍的底部被所述隔离区包围；并且所述倒T形鳍的上部在所述隔离区的顶面之上凸出，其中，所述上部为梯形形状，并且所述上部的底侧的长度大于所述上部的顶侧的长度，所述底部的上部区域的掺杂浓度高于所述上部的上部区域的掺杂浓度，并且所述倒T形鳍包括：连接在第一漏极/源极区和第二漏极/源极区之间的沟道；以及围绕所述倒T形鳍的沟道的栅电极。
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