[发明专利]半导体器件、制造半导体器件的方法以及电子装置有效
| 申请号： | 201210219006.9 | 申请日： | 2012-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102856381A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 冈治成治 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件、制造半导体器件的方法以及电子装置。栅电极的上端位于半导体衬底的表面下方。绝缘层形成在栅电极上和位于其周围的半导体衬底上。绝缘层具有第一绝缘膜和低透氧绝缘膜。第一绝缘膜例如为NSG膜并且低透氧绝缘膜例如为SiN膜。此外，第二绝缘膜形成在低透氧绝缘膜上。第二绝缘膜例如为BPSG膜。在形成绝缘膜之后通过利用氧化气氛的处理来提高垂直MOS晶体管的耐TDDB性。此外，由于绝缘层具有低透氧绝缘膜，因此，能够抑制垂直MOS晶体管的阈值电压的波动。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 以及 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；漏极层，所述漏极层形成到所述半导体衬底并且位于所述半导体衬底的背面侧上；栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜形成在于所述半导体衬底的表面形成的凹部的内壁上；栅电极，所述栅电极掩埋在所述凹部中并且所述栅电极的上端低于所述半导体衬底的表面；源极层，所述源极层形成到所述半导体衬底的表面侧上；第一绝缘膜，所述第一绝缘膜形成在所述栅电极之上，并且该膜的上表面高于所述半导体衬底的表面；以及低透氧绝缘膜，所述低透氧绝缘膜形成在所述第一绝缘膜之上并且具有比所述第一绝缘膜的透氧性低的透氧性。
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