[发明专利]一种复合式ΔE-E核辐射探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种复合式ΔE-E核辐射探测器及其制造方法，属于半导体核辐射探测器技术领域。本发明的复合式ΔE-E核辐射探测器包括薄型PIN探测器，厚型PIN探测器以及两者之间的介质键合层；薄型PIN探测器与厚型PIN探测器通过介质键合层机械固定到一起，并且形成电学互连；所述薄型PIN探测器包括高阻硅基片和所述高阻硅基片上的探测窗口；所述薄型PIN探测器探测窗口包括P区，N区以及两者之间的硅层。本发明还公开了所述复合式ΔE-E核辐射探测器的制造方法。本发明可用于空间探测，核物理，医学检测，和环境检测等多个领域。

主权项

一种复合式ΔE‑E核辐射探测器，包括薄型PIN探测器、厚型PIN探测器以及两者之间的介质键合层，其特征在于，所述薄型PIN探测器包括高阻硅基片和所述高阻硅基片上的探测窗口。所述厚型的PIN探测器包括高阻硅基片和所述高阻硅基片上的探测窗口，薄型PIN探测器与厚型PIN探测器通过介质键合层机械固定到一起，并且形成电学互连。