[发明专利]一种垂直结构发光二极管及其制造方法

摘要

本发明提供一种垂直结构发光二极管及其制造方法，于半导体衬底上依次形成N-GaN层、量子阱层、P-GaN层及第一透明导电层，然后刻蚀出多个孔道并制备绝缘侧壁，同时在第一透明导电层上制备绝缘层，接着于各孔道填充电极材料使其与N-GaN层形成欧姆接触并同时于所述绝缘层上形成电极材料层，然后将所述电极材料层与导电支撑衬底进行键合，导电支撑衬底为芯片的N电极部分，剥离半导体衬底，从N-GaN层开始刻蚀至所述第一透明导电层，最后制备P电极以完成制备。本发明将通常的垂直结构异侧电极制作在芯片的同侧，简化工艺；点状电极有利于大电流下芯片电流的扩散，使电流密度分布更均匀，有效的提高了发光二极管的发光效率，并提高了发光二极管的寿命。

主权项

一种垂直结构发光二极管的制造方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底上依次形成N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层及第一透明导电层；2）刻蚀所述第一透明导电层、P‑GaN层及量子阱层，形成从所述第一透明导电层贯穿至所述N‑GaN层的间隔排列的多个孔道；3）于各该孔道的内壁形成绝缘侧壁，并于所述第一透明导电层表面形成绝缘层；4）于各该孔道内填充电极材料并同时于所述绝缘层表面形成电极材料层，并使该电极材料与所述N‑GaN层形成欧姆接触，形成N电极；5）提供一表面具有电极层的支撑衬底，键合所述电极材料层及所述电极层；6）剥离所述半导体衬底；7）刻蚀所述N‑GaN层、量子阱层及P‑GaN层以露出部分的第一透明导电层，并于该第一透明导电层上制备P电极，以完成所述垂直结构发光二极管的制造。