[发明专利]一种发光二极管的制造方法

摘要

本发明提供一种发光二极管的制造方法，于蓝宝石衬底上形成包括N-GaN层、量子阱层、P-GaN层及透明导电层的发光外延层，然后定义发光外延阵列并依据阵列刻蚀及划片，形成多个直至N-GaN层的划道及从各该划道延伸至所述半导体衬底一预设深度的V型划片槽，接着制备电极并减薄蓝宝石衬底，最后采用裂片刀并使裂片刀的压迫位置与所述V型划片槽底部之间具有1~150um的横向偏移对各该发光外延阵列进行裂片，获得出光斜面。本发明通过使裂片刀压迫位置与划片槽之间具有一定的横向偏移进行裂片，在蓝宝石衬底中获得一出光斜面，有效的增加了出光面积，提高发光二极管的出光效率。本发明只需花费较低的成本便可提高发光二极管的出光效率，且工艺简单，适用于工业生产。

主权项

一种发光二极管的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底上表面形成至少包括N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层及透明导电层的发光外延层；2）于所述发光外延层定义出多个发光外延阵列，并根据各该发光外延阵列刻蚀所述P‑GaN层及量子阱层，形成多个直至所述N‑GaN层的划道，然后依据各该划道的位置进行划片，形成多个从各该划道延伸至所述半导体衬底一预设深度的V型划片槽；3）于各该划道中裸露的N‑GaN层表面制备N电极，并于各该发光外延阵列的透明导电层上制备P电极；4）减薄所述半导体衬底；5）采用裂片刀对上述所得结构进行裂片，其中，裂片刀的压迫位置与所述V型划片槽底部之间具有1~150um的横向偏移，以获得连接所述压迫位置与所述V型划片槽底部的出光斜面，以完成所述发光二极管的制造。