[发明专利]一种SRAM单元

摘要

本发明提出一种全新的6管SRAM单元结构，此结构采用读写分开技术，从而很大程度上解决了噪声容限的问题，并且此结构在数据保持状态下，采用漏电流以及正反馈保持数据，从而不需要数据的刷新来维持数据。仿真显示了正确的读写功能，并且读写速度和6管基本相同，但是比普通6管SRAM单元读写功耗显著降低。本发明能够有效的提高静态噪声容限从而增强了存储单元的稳定性，并且极大的降低整体的功耗。

主权项

一种SRAM单元，其特征在于主要包括如下部分：由M2和M4的P型MOS管，以及M1，M3，M5，M6的N型MOS管构成的存储单元；第一N型MOS管的漏极与第二P型MOS管的漏极连接于存储节点Q，所述第二P型MOS管的源极与所述第三P型MOS管的源极均连接于高电源电平，所述第三P型MOS管漏极与第四型N型MOS管漏极连接于存储节点Qbar，所述第三P型MOS管栅极与第四型N型MOS管栅极连接于存储节点Q，所述第一N型MOS管的栅极连接于字线信号，而源极连接于位线非信号线；所述第二P型MOS管的栅极与第五N型MOS栅极连接于存储节点Qbar，所述第五N型MOS管的源极连接于位线信号，所述第五N型MOS管的栅极连接于读控制信号线，所述第四N型MOS管的漏极和第六N型MOS管的漏极连接于低电源电平；N型MOS管M5和M6负责读操作，N型MOS管M1，M4，P型MOS管M2，M3完成写操作。