[发明专利]具有电压补偿结构的半导体器件

摘要

通过在掺杂有n型掺杂剂原子和p型掺杂剂原子的外延半导体材料中蚀刻沟槽以及沿着沟槽的一个或更多侧壁设置第一半导体或绝缘材料制造具有高电压补偿组件的半导体器件。 第一半导体或绝缘材料针对n型掺杂剂原子比p型掺杂剂原子至少具有2倍不同的掺杂剂扩散常数。第二半导体材料沿着第一半导体或绝缘材料设置在沟槽中。第二半导体材料具有与第一半导体或绝缘材料不同的掺杂剂扩散常数。通过第一半导体或绝缘材料从外延半导体材料向第二半导体材料扩散比另一类型的掺杂剂原子更多的n型掺杂剂原子或p型掺杂剂原子，使得在第二半导体材料和外延半导体材料之间出现横向电荷分离。

主权项

一种制造电压补偿结构的方法,包含：在掺杂有具有小于50%的扩散常数差异的n型掺杂剂原子和p型掺杂剂原子的外延半导体材料中蚀刻沟槽；沿着沟槽的一个或更多侧壁设置第一半导体或绝缘材料，该第一半导体或绝缘材料对于n型掺杂剂原子比p型掺杂剂原子至少具有2倍不同的掺杂剂扩散常数；沿着该第一半导体或绝缘材料在沟槽中设置第二半导体材料，该第二半导体材料具有与第一半导体或绝缘材料不同的掺杂剂扩散常数；以及通过第一半导体或绝缘材料从外延半导体材料向第二半导体材料中比另一类型的掺杂剂原子扩散更多的n型掺杂剂原子或p型掺杂剂原子，使得在第二半导体材料和外延半导体材料之间出现横向电荷分离。