[发明专利]一种N型太阳能电池制作方法有效
| 申请号： | 201210222534.X | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102709401A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 张伟;李高非;胡志岩;熊景峰 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N型太阳能电池制作方法，所述方法包括：提供一待处理的硅片；去除所述硅片表面的损伤层；对所述硅片进行表面制绒；对所述硅片进行清洗，以去除所述硅片表面残留的金属杂质；对干燥后的所述硅片进行硼扩散。本发明所述技术方案通过去除损伤层工序时能够去除硅片表面的部分金属杂质，在对所述硅片制绒之后、硼扩散之前对硅片进行清洗，采用不破坏硅片表面绒面、不影响硅片硼扩散效果且能将硅片表面金属杂质转化为溶于水的化合物的试剂对硅片进行清洗，去除硅片表面残留的金属杂质，保证了硼扩散时扩散制结的质量，进而提高了N型太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 制作方法 | ||
【主权项】：
一种N型太阳能电池制作方法，其特征在于，包括：提供一待处理的硅片；去除所述硅片表面的损伤层；对所述硅片进行表面制绒；对所述硅片进行清洗，以去除所述硅片表面残留的金属杂质；对干燥后的所述硅片进行硼扩散。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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