[发明专利]全光纤结构的938nm半导体制冷光纤激光器无效

专利信息
申请号: 201210222828.2 申请日: 2012-06-29
公开(公告)号: CN102738691A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 冯选旗;冯晓强;白晋涛 申请(专利权)人: 西北大学
主分类号: H01S3/067 分类号: H01S3/067;H01S3/042
代理公司: 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 代理人: 林兵
地址: 710069 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开一种全光纤结构的938nm半导体制冷光纤激光器,包括超低温半导体制冷器、带尾纤输出的808nm半导体激光器、938nm全反射光栅、双包层掺钕光纤、938nm半反射光栅、输出尾纤等。上述带尾纤输出的808nm半导体激光器、938nm全反射光栅、双包层掺钕光纤、938nm半反射光栅、输出尾纤等部件首尾相连依次熔接,并将双包层掺钕光纤置于所述超低温半导体制冷器内。本发明采用的通过超低温半导体制冷器,实现全光纤结构的938nm光纤激光器,具有光束质量好、输出功率高、结构紧凑、性能稳定可靠的优点。
搜索关键词: 光纤 结构 938 nm 半导体 制冷 激光器
【主权项】:
一种全光纤结构的938nm半导体制冷光纤激光器,其特征在于,包括超低温半导体制冷器(1)、半导体激光器(2)、全反射光栅(3)、双包层掺钕光纤(4)、半反射光栅(5)和输出尾纤(6),其中,半导体激光器(2)作为光源,半导体激光器(2)、全反射光栅(3)、双包层掺钕光纤(4)、半反射光栅(5)和输出尾纤(6)依次首尾相连,上述各元件之间熔接,输出尾纤(6)为激光器输出端;双包层掺钕光纤(4)置于超低温半导体制冷器(1)中,且双包层掺钕光纤(4)的首尾端均置于超低温半导体制冷器(1)之外。
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