[发明专利]一种高性能取向碳纳米管薄膜电极的制备方法有效
申请号: | 201210223219.9 | 申请日: | 2012-07-02 |
公开(公告)号: | CN102737853A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 彭慧胜;仰志斌;黄三庆;张玲莉;蔡振波 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01G9/042 | 分类号: | H01G9/042;H01G9/20 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于太阳能电池技术领域,具体为一种高性能取向碳纳米管薄膜电极的制备方法。本发明方法包括:采用胶带法制备取向碳纳米管薄层阵列,采用加压法制备高性能取向碳纳米管薄膜电极。该方法操作简单,可控性好,制备的碳纳米管薄膜电极表面平整且均一。将该取向碳纳米管薄膜电极用于太阳能电池的对电极,所组装的太阳能电池具有优异的性能,其效率可以超过相同条件下采用传统铂作为对电极的效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 性能 取向 纳米 薄膜 电极 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高性能取向碳纳米管薄膜电极的制备方法,其特征在于具体步骤如下:第一,取向碳纳米管阵列薄层的制备将胶带贴在到厚度为100 nm‑2 mm基底上,并使其与碳纳米管阵列边缘顶部垂直接触,然后撕下带胶基底,边缘的一层取向碳纳米管阵列被粘附并转移到带胶基底上,得到取向碳纳米管阵列薄层,该取向碳纳米管阵列薄层的厚度等于基底的厚度100 nm‑2 mm;然后,按住取向碳纳米管阵列薄层,同时滴加或者不加少量酒精或者丙酮,撕掉带胶基底,取向碳纳米管阵列薄层被分离并转移到基底上,其中,碳纳米管平行于基底取向;第二,高性能取向碳纳米管薄膜的制备在取向碳纳米管阵列薄层表面滴加酒精或者其他有机溶剂并放置一片载玻片,然后在载玻片上施加大小为105‑107 Pa 的压力,将取向碳纳米管阵列薄层压缩成厚度为100 nm‑100 μm,密度为1010‑4×1011 cm‑2的取向碳纳米管薄膜;该取向碳纳米管薄膜可作为对电极用于染料敏化太阳能电池。
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