[发明专利]静电放电保护结构及半导体设备有效
| 申请号： | 201210224016.1 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN103296020A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 郑礼朋 | 申请（专利权）人： | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201201 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种静电放电保护结构，所述静电放电保护结构设置于静电敏感元件和外围电路之间，所述静电放电保护结构还与放电总线相连；其中所述静电放电保护结构包括第一互连线、钝化层和至少一条静电放电导线，所述第一互连线电连接所述静电敏感元件和外围电路，所述静电放电导线与所述放电总线相连，所述静电放电导线与所述第一互连线通过所述钝化层隔离，所述静电放电导线和所述第一互连线之间具有至少一静电放电路径。本发明所述静电放电保护结构具有结构简单、静电防护效果好、没有寄生电流、寄生电容小、噪声小等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 结构 半导体设备 | ||
【主权项】：
一种静电放电保护结构，设置于静电敏感元件和外围电路之间，所述静电放电保护结构还与放电总线相连；其中所述静电放电保护结构包括第一互连线、钝化层和至少一条静电放电导线，所述第一互连线电连接所述静电敏感元件和外围电路，所述静电放电导线与所述放电总线相连，所述静电放电导线与所述第一互连线通过所述钝化层隔离，所述静电放电导线和所述第一互连线之间具有至少一静电放电路径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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