[发明专利]气体内循环型热丝CVD金刚石膜生长装置无效

专利信息
申请号: 201210224334.8 申请日: 2012-07-02
公开(公告)号: CN102719804A 公开(公告)日: 2012-10-10
发明(设计)人: 谢二庆;滕凤;龚成师;张鹏;张国志 申请(专利权)人: 兰州大学
主分类号: C23C16/27 分类号: C23C16/27;C23C16/48
代理公司: 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 代理人: 李艳华
地址: 730000 甘肃*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明涉及一种气体内循环型热丝CVD金刚石膜生长装置,该装置包括内设反应腔的密闭真空室。所述反应腔内壁顶端设有风扇,该风扇的下方设有多根并排直钨丝构成的热丝阵列;所述热丝阵列的两端接直流电,其下方设有衬底盘,该衬底盘上设有热电偶;所述风扇的侧上方的所述真空室外壁设有进气口;所述真空室外壁侧下方设有抽气口。本发明可以实现金刚石膜的大面积、高速率生长,减少氢气的消耗。
搜索关键词: 体内 循环 型热丝 cvd 金刚石 生长 装置
【主权项】:
气体内循环型热丝CVD金刚石膜生长装置,其特征在于:该装置包括内设反应腔的密闭真空室;所述反应腔内壁顶端设有风扇(4),该风扇(4)的下方设有多根并排直钨丝构成的热丝阵列(1);所述热丝阵列(1)的两端接直流电,其下方设有衬底盘(2),该衬底盘(2)上设有热电偶(3);所述风扇(4)的侧上方的所述真空室外壁设有进气口(5);所述真空室外壁侧下方设有抽气口(6)。
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