[发明专利]一种提高磁质谱丰度灵敏度的装置及方法有效
| 申请号： | 201210224918.5 | 申请日： | 2012-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN102751163A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李志明;韦冠一;徐江;翟利华;沈小攀;周国庆;王长海;李梅 | 申请（专利权）人： | 西北核技术研究所 |
| 主分类号： | H01J49/42 | 分类号： | H01J49/42;H01J49/26 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 王少文 |
| 地址： | 71002*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种提高磁质谱丰度灵敏度的装置，包括依次设置的离子减速透镜、四极杆质量分析器、离子加速透镜以及终端离子探测器，四极杆质量分析器的悬浮电压比磁质谱仪的离子源的悬浮电压低1V～100V，离子减速透镜设置在磁质谱仪尾端。本发明基于四极杆对带电粒子进行质量分辨的机理仅与质荷比相关的特性，建立一种提高磁质谱丰度灵敏度的装置及相应的方法，该装置对接于已有磁质谱类型仪器，可将原仪器的丰度灵敏度指标提高1000倍以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 磁质谱丰度 灵敏度 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种提高磁质谱丰度灵敏度的装置，其特征在于：包括依次设置的离子减速透镜（2）、四极杆质量分析器（3）、离子加速透镜（4）以及终端离子探测器（5）；所述四极杆质量分析器（3）的悬浮电压比磁质谱仪的离子源的悬浮电压低1V～100V；所述的离子减速透镜设置在磁质谱仪尾端。
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