[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板和液晶显示装置

摘要

本发明公开一种阵列基板的制作方法、阵列基板和液晶显示装置，所述阵列基板的制作方法包括步骤：A、采用第一道掩膜制程，在基材表面形成扫描线和TFT的闸极；B、采用第二道掩膜制程，形成阵列基板的扫描线数据线、TFT的源极和漏极、及位于源极和漏极之间的导电沟道；C、对第二道掩膜制程形成的光阻进行灰化处理，然后在阵列基板表面铺设一层a-Si膜层；D、剥离光阻，形成非掺杂有源层；E、采用第三道掩膜制程，在TFT的漏极表面形成透明导电层。本发明只需要三道掩膜制程就能制作出整个阵列基板，相比现有的四道、五道掩膜制程，减少了制程时间，降低了制造成本，步骤的简化也有利于提升良品率。

主权项

一种阵列基板的制作方法，包括步骤：A、采用第一道掩膜制程，在基材表面形成扫描线和TFT的闸极；B、在基材上依次铺设绝缘层、第二金属层和n+a‑Si膜层，然后通过采用第二道掩膜制程，形成阵列基板的扫描线数据线、TFT的源极和漏极、及位于源极和漏极之间的导电沟道；C、对第二道掩膜制程形成的光阻进行灰化处理，曝露出导电沟道两端的n+a‑Si膜层，然后在阵列基板表面铺设一层a‑Si膜层，形成的a‑Si膜层跟导电沟道两端的n+a‑Si膜层可靠电连接；D、剥离光阻，将覆盖在光阻表面的a‑Si材料一并去除，剩余的a‑Si膜层形成非掺杂有源层；E、采用第三道掩膜制程，保留非掺杂有源层覆盖部分的n+a‑Si膜层，形成掺杂有源层，然后在TFT的漏极表面形成透明导电层。