[发明专利]一种基于PLC技术的阵列波导光栅结构及其制作方法无效
| 申请号： | 201210225647.5 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102736177A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 宋齐望;孙麦可 | 申请（专利权）人： | 无锡思力康光子科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/132 | 分类号： | G02B6/132;G02B6/124 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 宋敏 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市无锡新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于PLC技术的阵列波导光栅结构及其制作方法，该制作方法包括：选取衬底，在所选取的衬底上，采用PECVD工艺，沉积并生长掺杂B、P二氧化硅层，作为下包层；在下包层上，生长波导芯层；在波导芯层上，预留具有预设形状的波导芯，并将除该预设形状的波导芯之外的部分腐蚀掉，留下具有预设形状的波导芯；在下包层和波导芯上，生长能够完全覆盖所述下包层和波导芯的高掺杂B、P二氧化硅层，作为上包层，即制得所需基于PLC技术的阵列波导光栅结构。本发明所述基于PLC技术的阵列波导光栅结构及其制作方法，可以克服现有技术中生长周期长、成本高和产品性能差等缺陷，以实现生长周期短、成本低和产品性能好的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 plc 技术 阵列 波导 光栅 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于PLC技术的阵列波导光栅结构的制作方法，其特征在于，包括：选取衬底，在所选取的衬底上，采用PECVD工艺，沉积并生长掺杂B、P二氧化硅层，作为下包层；在所述下包层上，生长波导芯层；在所述波导芯层上，预留具有预设形状的波导芯，并将除所述预设形状的波导芯之外的部分腐蚀掉，留下具有预设形状的波导芯；在所述下包层和波导芯上，生长能够完全覆盖所述下包层和波导芯的高掺杂B、P二氧化硅层，作为上包层，即制得所需基于PLC技术的阵列波导光栅结构。
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