[发明专利]功率半导体器件寄生电容测试装置

摘要

一种功率半导体器件寄生电容测试装置，其第一滤波电容的一端与高端电压端子和高端电流端子相连，另一端与滤波电感、第二滤波电容及集电极端子相连，高端电压端子和高端电流端子在内部短接。第二滤波电容的一端与集电极端子相连，另一端与切换开关的第一触点相连。门射极电阻的一端与门极端子相连，另一端与发射极端子相连。滤波电感的一端与电源正极端子相连，另一端与集电极端子相连。电源负极端子与发射极端子相连。切换开关的第一触点与第二滤波电容的一端相连，第二触点与门极端子、低端电压端子及低端电流端子相连，第三触点与地电位端子相连，公共触点与发射极端子以及门射极电阻的一端相连。低端电压端子及低端电流端子在内部短接。

主权项

一种功率半导体器件寄生电容测试装置，其特征在于，所述的测试装置包括切换开关(S1)、第一滤波电容(C1)、第二滤波电容（C2）、门射极电阻（R1）和滤波电感（L1）；第一滤波电容(C1)的一端与高端电流端子(Hc)和高端电压端子(Hp)相连，高端电流端子(Hc)和高端电压端子(Hp)短接；第一滤波电容（C1）的另一端与滤波电感（L1）、第二滤波电容（C2）及集电极端子（C）相连；第二滤波电容（C2）的一端与集电极端子（C）相连，第二滤波电容（C2）的另一端与切换开关（S1）的第一触点（11）相连；门射极电阻（R1）的一端与门极端子（G）相连，门射极电阻（R1）的另一端与发射极端子（E）及切换开关（S1）的公共触点（14）相连，切换开关（S1）的公共触点（14）与发射极端子（E）短接；滤波电感（L1）的一端与电源正极端子（DC+）相连，滤波电感（L1）的另一端与集电极端子（C）相连；电源负极端子（DC‑）与发射极端子（E）相连；切换开关（S1）的第一触点（11）与第二滤波电容（C2）相连，切换开关（S1）的第二触点(12)与门极端子（G）、低端电压端子（Lp）及低端电流端子（Lc）相连，其中低端电压端子（Lp）与低端电流端子（Lc）短接；切换开关（S1）的第三触点（13）与地电位端子（GND）相连，切换开关（S1）的公共触点（14）与发射极端子（E）以及门射极电阻（R1）相连。